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市场节能需求强劲,晶圆提高尺寸量产。

[日期:2010-12-31] [来源:http://www.sbing.net/] [作者admin] [点击:]

    台湾英飞凌副总裁暨执行董事詹启祥表示,该公司已在奥地利展开12寸晶圆量产研发工作,主要将用于超接合(SuperJunction)技术的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)等功率即纽约市基地的绝佳地舆方位元件的生产,一旦相关发展成熟后,将可移植至马来西亚的晶圆厂进行量产。
    继德州仪器(TI)积极导入12寸晶圆厂以扩大类比市场占有率后,在电源晶片市场同样举足轻重的英飞凌(Infineon)也已悄悄启动12寸晶圆量产研发计划,希望将电源晶片的生产由目前8寸厂升级至12寸厂,以因应市场持续高涨的节能需求,并巩固既有市场地位。
    台湾英飞凌副总裁暨执行董事詹启祥指出,超接面MOSFET将是未来功率半导体市场的主流。
    由于超接面MOSFET可较传统平面式(Planar)MOSFET在相同尺寸的裸晶(Die)上实现更低的导通电阻与切换损失,进而提升每单位面积的功率密度,因此,在节能意识抬头的市场环境中,重要性与日俱增,产品渗透率也节节攀升。
    不过,与平面式MOSFET相比,目前超接面MOSFET产品价格仍偏高,所以英飞凌所推行的12寸晶圆量产计划,将有助进一步降低超接面MOSFET成本,为该市场的起飞预先作好准备。詹启祥分析,尽管目前传统平面式MOSFET的市场规模仍占大宗,但未来超接面MOSFET方案将会快速放量成长,两者将呈现明显的消长态势。
    位于奥地利菲拉赫(Villach)的英飞凌奥地利分公司,是英飞凌极为重要的研发和制造中心,规模仅次于德国总部与马来西亚分公司,专精于应用在汽车和工业暨多重市场的能源效率方案开发,并致力以低转换损失的功率半导体实现系统的微型化和高能效发展;此外,感测器和非接触式安全晶片亦是另一研发重点。
    据了解,英飞凌于2010年会计年度的研发费用高达3亿9,900万欧元,占总体营收比重的25%,较2009年会计年度的1亿9,500万欧元(占总营收约22%)大幅攀升。
    詹启祥强调,历经有线与无线事业部门的切割后,现今的英飞凌已处于最佳的发展状态,产品组合也更为聚焦,尤其是功率半导体、绝缘栅双极电晶体(IGBT)及碳化矽(SiC)萧特基二极体等方案,更是该公司最自豪的优势,对汽车和工业暨多重市场的拓展,将是莫大的助益。

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